A Discrete Semiconductor Manufacturer
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Vdss (V)
Id @ 25C (A)
Rds-on (typ) (mOhms)
Total Gate Charge (nQ) typ
Maximum Power Dissipation (W)
Input Capacitance (Ciss)
Polarity
Mounting Style
Package / Case
Certified (AEC-Q101...etc)
Search Results ( 266 products found )
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  • Item Description
  • RM3139K
  • MOSFET - RM3139K rm3139k.pdf
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    • Part Number : RM3139K
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.66 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 624 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : .15 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.45 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 113 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-723
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  • Item Description
  • RM60N75LD
  • MOSFET - RM60N75LD rm60n75ld.pdf
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    • Part Number : RM60N75LD
    • Vdss (V) : 84 V
    • Id @ 25C (A) : 60.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 6.8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 100 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 140 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252
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  • Item Description
  • RM6N100S4
  • MOSFET - RM6N100S4 rm6n100s4.pdf
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    • Part Number : RM6N100S4
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 6.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 110 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 15.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 3 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 690 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-223-3L
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  • Item Description
  • RM80N20DN
  • MOSFET - RM80N20DN rm80n20dn.pdf
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    • Part Number : RM80N20DN
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 80.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 2.8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 52 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 66 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.65 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3870 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PPAK3X3
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  • Item Description
  • RM3C20S6 (N)
  • MOSFET - RM3C20S6 (N) rm3c20s6.pdf
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    • Part Number : RM3C20S6 (N)
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 3.8 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 5.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.25 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 315 pF
    • Polarity : Dual
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT23-6
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  • Item Description
  • RM3C20S6 (P)
  • MOSFET - RM3C20S6 (P) rm3c20s6.pdf
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    • Part Number : RM3C20S6 (P)
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 2.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 4.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.25 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 350 pF
    • Polarity : Dual
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT23-6
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  • Item Description
  • RM10N40S8
  • MOSFET - RM10N40S8 rm10n40s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM10N40S8
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 10.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 15 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 13 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 2.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 1088 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM1A4N150S6
  • MOSFET - RM1A4N150S6 rm1a4n150s6.pdf
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    • Part Number : RM1A4N150S6
    • Vdss (V) : 150 V
    • Id @ 25C (A) : 1.4 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 480 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 8.1 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.56 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 350 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT23-6
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  • Item Description
  • RM8A5P60S8
  • MOSFET - RM8A5P60S8 rm8a5p60s8.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM8A5P60S8
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 8.5 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 30 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 43.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 4.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2595 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOP-8
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  • Item Description
  • RM4N700S4
  • MOSFET - RM4N700S4 rm4n700s4.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM4N700S4
    • Vdss (V) : 700 V
    • Id @ 25C (A) : 4.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 1100 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 8.8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 5.2 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 304 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-223-3L
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  • Item Description
  • RM80N30DN
  • MOSFET - RM80N30DN rm80n30dn.pdf
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    • Part Number : RM80N30DN
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 80 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.8 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 24 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 66 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2200 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : PPAK3X3
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  • Item Description
  • RM75N60T2
  • MOSFET - RM75N60T2 rm75n60t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM75N60T2
    • Vdss (V) : 60 V
    • Id @ 25C (A) : 75 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 9.1 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 50 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 110 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 2350 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • Item Description
  • RM3134
  • MOSFET - RM3134 rm3134.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM3134
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 0.75 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 270 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 750 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.15 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.54 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 79 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-363
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  • Item Description
  • RM2003
  • MOSFET - RM2003 rm2003.pdf
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    • Part Number : RM2003
    • Vdss (V) : 20 V
    • Id @ 25C (A) : 3.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 36 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 2.9 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.8 W
    • Vgs(th) (typ) : 0.75 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 260 pF
    • Polarity : Dual
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23-6L
    • Certified (AEC-Q101...etc) : AEC-Q101
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  • Item Description
  • BSS138W
  • MOSFET - BSS138W bss138w.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : BSS138W
    • Vdss (V) : 50 V
    • Id @ 25C (A) : 0.22 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3500 mOhms
    • Maximum Power Dissipation (W) : 0.3 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.25 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 27 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-323
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  • Item Description
  • RM60N100DF
  • MOSFET - RM60N100DF rm60n100df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM60N100DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 60 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 8.5 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 105 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3500 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM052N100DF
  • MOSFET - RM052N100DF rm052n100df.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM052N100DF
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 60 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.6 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 60 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 125 W
    • Vgs(th) (typ) : 20 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4351 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : DFN
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  • Item Description
  • RM2303
  • MOSFET - RM2303 rm2303.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM2303
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 2.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 72 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 8.5 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.0 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 226 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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  • Item Description
  • RM120N40LDV
  • MOSFET - RM120N40LDV rm120n40ldv.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N40LDV
    • Vdss (V) : 40 V
    • Id @ 25C (A) : 85 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 75 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.8 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 5400 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : TO-252
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  • Item Description
  • RM5A1P30S6
  • MOSFET - RM5A1P30S6 rm5a1p30s6.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM5A1P30S6
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 5.1 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 32 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 8 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.56 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 757 pF
    • Polarity : P-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23-6L
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  • Item Description
  • RM80N80T2
  • MOSFET - RM80N80T2 rm80n80t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM80N80T2
    • Vdss (V) : 80 V
    • Id @ 25C (A) : 80 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 7.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 90 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 170 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.85 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 4100 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • Item Description
  • RM120N30T2
  • MOSFET - RM120N30T2 rm120n30t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM120N30T2
    • Vdss (V) : 30 V
    • Id @ 25C (A) : 120 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 120 W
    • Vgs(th) (typ) : 1.6 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 3550 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
    View Details
  • Item Description
  • RM140N82T2
  • MOSFET - RM140N82T2 rm140n82t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM140N82T2
    • Vdss (V) : 82 V
    • Id @ 25C (A) : 140 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 4.3 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 158 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 220 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 7900 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • Item Description
  • RM180N100T2
  • MOSFET - RM180N100T2 rm180n100t2.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM180N100T2
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 180 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 160 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 300 W
    • Vgs(th) (typ) : 3.5 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 11500 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : Through Hole
    • Package / Case : TO-220-3L
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  • Item Description
  • RM1002
  • MOSFET - RM1002 rm1002.pdf
  • Search Criteria
    • Part Number : RM1002
    • Vdss (V) : 100 V
    • Id @ 25C (A) : 2.0 A
    • Rds-on (typ) (mOhms) : 185 mOhms
    • Total Gate Charge (nQ) typ : 5.2 nQ
    • Maximum Power Dissipation (W) : 1.1 W
    • Vgs(th) (typ) : 2.0 V
    • Input Capacitance (Ciss) : 190 pF
    • Polarity : N-Channel
    • Mounting Style : SMD/SMT
    • Package / Case : SOT-23
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